由多維科技的TMR技術(shù)（隧道磁阻）支持，是包括接近開關(guān)、速度傳感器和位置傳感器的多種高性能工業(yè)類應(yīng)用的最佳選擇。TMR技術(shù)在磁盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)中已經(jīng)被證實(shí)是一種高性能、經(jīng)濟(jì)有效、低功耗、且具有高可靠性的技術(shù)。MDT是第一個(gè)在其多個(gè)產(chǎn)品系列中提供TMR技術(shù)所有優(yōu)勢的批量供應(yīng)商。這些產(chǎn)品系列包括TMR磁開關(guān)傳感器、TMR磁場傳感器和TMR磁角度傳感器。

　　多維科技董事長兼首席執(zhí)行官薛松生博士表示：“MDT的新型TMR磁開關(guān)傳感器為智能流量計(jì)帶來快速的測量、更長的電池壽命以及持續(xù)可靠的運(yùn)行。我們?nèi)�心致力于將TMR技術(shù)的優(yōu)勢帶到磁傳感器市場，并通過推出產(chǎn)品和解決方案幫助我們的客戶取得成功。”

　　MMS103H和MMS105H磁開關(guān)傳感器具有高達(dá)100kHz的頻率響應(yīng)，而電源電流可低至5微安。區(qū)別于必須采用間歇供電或休眠模式來減少功耗的同類產(chǎn)品，MDT的磁開關(guān)傳感器可以在持續(xù)運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)低功耗。

　　重要特點(diǎn)

　　具有CMOS數(shù)字鎖存輸出的雙極型TMR磁開關(guān)傳感器

　　工作點(diǎn)和釋放點(diǎn)分別為 /-30高斯（MMS103H）和 /-50高斯（MMS105H）

　　頻率響應(yīng)高達(dá)100kHz的高速磁場測量

　　在3V電壓供電時(shí)低至5微安的功耗

　　持續(xù)運(yùn)行以保證可靠測量

　　在-40到125攝氏度區(qū)間展現(xiàn)出優(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性

　　TMR磁傳感器和信號處理ASIC集成于小型的SOT-23或TO-92封裝

　　薛博士稱，MDT的TMR技術(shù)涵蓋了AMR（各向異性磁阻）、GMR（巨磁阻）、霍爾效應(yīng)和干簧管等現(xiàn)有磁傳感器技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)，并克服了這些技術(shù)的重要局限性。因此，MDT的TMR磁傳感器將高頻響、低功耗、高靈敏度、寬測量間隙、耐用性與持久性獨(dú)特地結(jié)合于一身。