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核心提示：
（MMIC）產(chǎn)品系列，從而為客戶在商用雷達系統(tǒng)高功率放大電路的應用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優(yōu)異信號保真度的同時擴展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設計工程師大幅度地降低雷達系統(tǒng)的尺寸和重量，同時擴大應用范圍并降低安裝成本。"
科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當脈寬為100微秒時），功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統(tǒng)硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證。與 GaAs和Si技術相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6dB）、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。
新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 - 2.9GHz / 3.1 - 3.5GHz）以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC）。
如欲了解更多最新S波段GaN HEMT器件詳情，敬請訪問：www.cree.com。
