網(wǎng)訊：“寬禁帶功率半導(dǎo)體”是指使用某一種寬禁帶半導(dǎo)體材料制成的功率半導(dǎo)體器件，是相對于硅半導(dǎo)體材料制成的硅功率半導(dǎo)體器件而言的。寬禁帶半導(dǎo)體材料中最有意義的是碳化硅、氮化鎵和氧化鋅半導(dǎo)體。為什么把它們稱為“寬禁帶”，是因?yàn)樗鼈兣c硅材料相比在半導(dǎo)體十分重要的參數(shù)“禁帶寬度”上相差甚遠(yuǎn)，這些材料的禁帶寬度在3.3到3.5電子伏之間，而硅單晶是1.21電子伏，前者是硅的3倍，所以稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。

相比，它不僅可以將光盤紀(jì)錄的信息量提高四倍以上，而且可以大大提高光信息的存取速度。雖然人們早就認(rèn)識(shí)到氮化鎵的這一優(yōu)點(diǎn)，但由于氮化鎵單晶材料制備上的困難以及難于生長出氮化鎵PN結(jié)。直至1985年通過先進(jìn)的分子束外延方法才有改善了的氮化鎵材料投入應(yīng)用；

研究獲重大突破

　　863計(jì)劃新材料領(lǐng)域“藍(lán)綠色垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器”課題近日取得重大突破，在我國（除臺(tái)灣地區(qū)外）首次實(shí)現(xiàn)了室溫光泵條件下氮化物面發(fā)射激光器（VCSEL）的受激發(fā)射，所得器件重要性能指標(biāo)超過了國際報(bào)道的最好水平。這標(biāo)志著我國氮化物面發(fā)射激光器研究已進(jìn)入世界先進(jìn)行列。