DRAM Buffer 

DRAM緩存是一種基于動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的緩存技術。它使用固態(tài)硬盤外置的DRAM作為緩存區(qū)域。

優(yōu)點

顯著提高固態(tài)硬盤的隨機讀寫速度和響應性能，提升SSD寫入穩(wěn)定性。

不帶DRAM全盤寫入曲線圖

帶DRAM全盤寫入曲線圖

帶DRAM緩存可以讓SSD在TLC Mode寫入數(shù)據(jù)時平穩(wěn)。

什么是順序讀寫、隨機讀寫、IOPS 、4K讀寫？

SLC Cache

SLC緩存是一種基于單層單元存儲器（SLC）的緩存技術。在TLC或QLC的閃存芯片(NAND Flash IC)中，劃分一部分固態(tài)硬盤的存儲空間來模擬SLC的寫入方式。

優(yōu)點

短期內提升SSD的爆發(fā)寫入能力。

SSD寫入數(shù)據(jù)經(jīng)歷高速SLC寫入、后SLC寫入、TLC寫入3個階段。其中，前2個階段是通過固件的FW來實現(xiàn)的；TLC階段寫入速度取決于使用FLash IC的好壞。

Host Memory Buffer

HMB技術是一種基于主機內存的緩存技術。它利用主機內存的一部分作為固態(tài)硬盤的緩存區(qū)域，通常最大為64MB。

優(yōu)點

相比于DRAM Buffer，成本較低，但同時也可以提供相對較大的緩存容量。

總結

固件技術對工業(yè)級固態(tài)硬盤性能和使用壽命的起到重要影響，威剛工控可提供DRAM Buffer與SLC Cache軟硬整合的緩存解決方案，提升產(chǎn)品的穩(wěn)定性和耐用度。

一般一些入門級產(chǎn)品或者低速產(chǎn)品會設計成沒有緩存，威剛針對數(shù)據(jù)交換量大的應用場景提供DRAM Buffer，SLC Cache，Host Memory Buffer等多種緩存技術和掉電保護DVT電路設計以提高產(chǎn)品的讀寫效率和穩(wěn)定性。

威剛推薦DRAM Buffer產(chǎn)品 

威剛推薦SLC Cache產(chǎn)品

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