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核心提示：
在性能和競爭都無壓力、移動趨勢越來越明顯的情況下，Intel已經(jīng)悄然改變了處理器研發(fā)策略，將重點從提升性能轉(zhuǎn)向降低功耗、提高能效。下一代的Haswell雖然不會升級制造工藝，但會從架構(gòu)和技術(shù)上作出努力，特別是會整合穩(wěn)壓器模塊(VRM)，改進處理器供電的精細度，并在不影響性能的前提下降低功耗。
目前，穩(wěn)壓器和各種供電IC都安置在主板上，而為了加強處理器供電(更為了增加賣點)，供電電路相數(shù)不斷猛增，制造成本和占用空間也水漲船高，但都達不到Intel想要的供電水準。
Haswell晶圓
為此，Intel特別研發(fā)了一種特殊的可編程芯片，內(nèi)有20個供電單元(power cell)。每個單元都是非常迷你的穩(wěn)壓器，整個芯片理論上可支持最多320相供電，能夠達到極其精細的供電調(diào)整，而整個芯片的尺寸為12.977×8.144＝105.7平方毫米。Intel將這種芯片稱為整合穩(wěn)壓器(IVR)，會將其與Haswell處理器內(nèi)核封裝在同一塊基板上(俗稱的“膠水封裝”)，制造工藝也是22nm。
有了這種整合穩(wěn)壓器，Haswell就可以獨立、精準地控制每個CPU核心、GPU核心、系統(tǒng)助手(PCI-E和內(nèi)存控制器等)的供電、功耗，甚至能夠照顧到板載穩(wěn)壓器無法顧及的互連總線，從而靈活地降低功耗，且不損失性能。舉例來說，Haswell可以在視頻播放期間將所有CPU核心掛起，但不會掛起環(huán)形互聯(lián)總線，只留下GPU核心工作的同時，保證總線的全速運行，視頻播放依然會很流暢。
