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核心提示：
據日經BP社報道，日立制作所在“nano tech 2009（國際納米技術綜合展）”（2月18～20日）上展出了芯片尺寸為1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見方的試制品相比，體積大幅縮小。該公司正在探討利用150mm晶圓生產線的量產事宜。
將尺寸由3.4mm見方縮小到1.9mm見方的理由有二。一是在LSI的正上方形成壓力傳感器。原來的試制品雖然層積了LSI及壓力傳感器，但由于要優(yōu)先確立核心技術，因此為了不在LSI的正上方層疊壓力傳感器，只好沿水平方向錯位形成。另一點是此次削減了壓力傳感器部分留有的多余空間。留有空間的理由是為了配備壓力傳感器以外的傳感器。
另外，日立此次還介紹了可通過改變隔膜（承受壓力后彎曲的薄膜部）尺寸，改變檢測壓力靈敏度的技術。利用該技術，可使集成型壓力傳感器的設計及制造工藝實現標準化，還可將達到通用水平的集成型壓力傳感器應用于多種用途。
將尺寸由3.4mm見方縮小到1.9mm見方的理由有二。一是在LSI的正上方形成壓力傳感器。原來的試制品雖然層積了LSI及壓力傳感器，但由于要優(yōu)先確立核心技術，因此為了不在LSI的正上方層疊壓力傳感器，只好沿水平方向錯位形成。另一點是此次削減了壓力傳感器部分留有的多余空間。留有空間的理由是為了配備壓力傳感器以外的傳感器。
另外，日立此次還介紹了可通過改變隔膜（承受壓力后彎曲的薄膜部）尺寸，改變檢測壓力靈敏度的技術。利用該技術，可使集成型壓力傳感器的設計及制造工藝實現標準化，還可將達到通用水平的集成型壓力傳感器應用于多種用途。
