宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的專家將于功率研討會(huì)展示為業(yè)界設(shè)定性能基準(zhǔn)的新一代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN?FET）

宜普電源轉(zhuǎn)換公司將于中國大陸兩個(gè)業(yè)界研討會(huì)討論關(guān)于最新一代氮化鎵(eGaN)技術(shù),分別為第三屆世界無線供電行業(yè)峰會(huì)及第十九屆IIC China功率管理及功率半導(dǎo)體研討會(huì)。

2014-08-15 10:36

簡(jiǎn)體

能源和環(huán)境 制造業(yè)

EL SEGUNDO, Calif. -- (BUSINESS WIRE) -- (美國商業(yè)資訊)--硅基增強(qiáng)型功率氮化鎵（(eGaN?)場(chǎng)效應(yīng)晶體管之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司將于兩個(gè)業(yè)界研討會(huì)以應(yīng)用為主題發(fā)表演講。

于中國上海舉行的第三屆世界無線供電行業(yè)峰會(huì)

宜普公司的專家將展示由于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN?FET）具備優(yōu)越特性如具有低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，因此作為高度諧振并符合Rezence（A4WP）標(biāo)準(zhǔn)的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，它可以提高該應(yīng)用的效率。我們對(duì)采用MOSFET及氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換器在峰值功率、負(fù)載變化及負(fù)載調(diào)制性能等各方面進(jìn)行比較。

基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN? FET）并采用全新零電壓開關(guān)D類放大器拓?fù)涞臒o線電源傳送應(yīng)用

講者： 宜普電源轉(zhuǎn)換公司應(yīng)用工程副總裁Johan Strydom博士

日期／時(shí)間：　2014年8月26日星期二下午4時(shí)30分至5時(shí)10分

于中國深圳舉行的第十九屆IIC China功率管理及功率半導(dǎo)體研討會(huì)

最新一代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管為業(yè)界提高電源轉(zhuǎn)換的性能基準(zhǔn)。由于全新第四代氮化鎵器件系列在主要開關(guān)品質(zhì)因數(shù)方面取得重大增益，因此在性能上可進(jìn)一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將展示的應(yīng)用范例包括取得93.5%效率的12 V轉(zhuǎn)至1.2 V、50 A的負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器， 以及取得超過98% 效率的48 V轉(zhuǎn)至12 V、30 A的非隔離型直流-直流中間總線轉(zhuǎn)換器。

“電源管理及功率半導(dǎo)體：第四代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN? FET)”

講者： 宜普電源轉(zhuǎn)換公司亞太區(qū)FAE總監(jiān)鄭正一

日期／時(shí)間：　 2014年9月4日星期二下午3時(shí)40分至4時(shí)20分

關(guān)于第三屆世界無線供電行業(yè)峰會(huì)

詳情請(qǐng)瀏覽 http://www.wirelesspower-world.com/meeting/Sponsors/index.html 。

關(guān)于第十九屆IIC China功率管理及功率半導(dǎo)體研討會(huì)

詳情請(qǐng)瀏覽http://epc-co.com/epc/EventsandNews/Events.aspx 。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡(jiǎn)介

宜普公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR） 及 D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。詳情請(qǐng)瀏覽 我們的網(wǎng)站www.epc-co.com.cn 。

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商標(biāo)

eGaN? 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。