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    科銳的碳化矽功率MOSFET實現(xiàn)下一代太陽能轉(zhuǎn)換器

    放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-15     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):96
    核心提示:

      碳化矽功率 MOSFET技術(shù)可顯著改善太陽能逆變器的重量、成本和效率。

      科銳公司與臺達(dá)能源系統(tǒng)公司(Delta Energy Systems)共同宣布成功達(dá)成太陽能逆變器(PV inverter)業(yè)內(nèi)一項計劃,臺達(dá)的新一代的太陽能轉(zhuǎn)換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設(shè)計。碳化矽功率 MOSFET的加入,使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達(dá)到重要的新里程碑。

      臺達(dá)能源系統(tǒng)公司的太陽能逆變器研究與發(fā)展主管 Klaus Gremmelspacher評論表示:“通過利用碳化矽功率 MOSFET,臺達(dá)下一代的太陽能逆變器在功率密度上達(dá)到新的里程碑。對我們在實現(xiàn)輕型且具備業(yè)界領(lǐng)先效率的新型高功率轉(zhuǎn)換器的目標(biāo)來說,科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

      科銳于2011年發(fā)表了首款碳化矽功率 MOSFET, 具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效;而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將于2013年推出。在這項具里程碑意義的產(chǎn)品面市后,世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應(yīng)商之一的臺達(dá)能源系統(tǒng)公司(臺達(dá)電子集團的子公司),決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設(shè)計中。在11kW太陽能逆變器中采納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET后,臺達(dá)已能擴大直流輸入電壓范圍,同時維持或甚至提升前一代產(chǎn)品的最高效率。臺達(dá)預(yù)計在2013年第二季度推出的11kW加速器(booster),因為采用科銳的碳化矽功率 MOSFET,其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

      科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示:“我們很高興且榮幸像臺達(dá)能源系統(tǒng)這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產(chǎn)品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻于完善,因為那是2011年發(fā)表的產(chǎn)品,而且又具備領(lǐng)先業(yè)界的性能和成本優(yōu)勢。 像臺達(dá)電子等從事先端技術(shù)的客戶,如今也積極采用我們的碳化矽功率 MOSFET技術(shù),不僅能使太陽能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比采用矽減少20%~50%,同時能保持或提升效率水準(zhǔn)。”

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